許多能產(chǎn)生電致發(fā)光的半導體,尚不能生長成單晶形式，對它們物理性質(zhì)的了解還很不夠。但制造p-n結卻要求選用高純度的材料才能控制雜質(zhì)的摻入。

在選擇半導體時，仔細研究那些對電致發(fā)光有影響的因素是很有意義的。

晶體生長 p-n結的作用要求單品材料;而且材料的缺陷應最少，摻雜的控制率應少于百萬分之十?，F(xiàn)已發(fā)現(xiàn):許多可用作面結型電致發(fā)光的Ⅲ-V族半導體化合物熔點很高，在熔點溫度下的蒸氣壓力也很高。這種不利因素已能通過高壓拉晶法，溶液生長法和外延生長法得到某種程度的克服。溶液生長法和外延生長法均可在大大低于熔點的溫度下進行。

兩性導電載流子注入p-n結的技術，系假設半導體均可摻質(zhì)為型和P型為前提。許多半導體，尤其是I-VI族半導體，都只有一種導電類型，即n型或P型。要想通過摻雜來制造另一種類型的載流子時，就會產(chǎn)生一種阻止這種改變的空位補償機理。幸而Ⅲ-V族化合物沒有這種現(xiàn)象,這正是人們所以致力于研究這類化合物的理由。

禁帶寬度 如前所述，加正向偏壓的p-n結所產(chǎn)生的光子發(fā)射能量有一個等于半導體禁帶寬度的上限值。為了能制造一種可產(chǎn)生400毫微米以上整個可見光譜的器件，就要求半導體的禁帶寬度達到3.1電子伏特。這對p-n結產(chǎn)生輻射是不可少的。不過現(xiàn)在已研制成一種新器件，是在小半導體片的表面涂一層螢光粉，其作用是把半導體的典型紅外輻射轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢姽?。這種螢光材料屬于反斯托克斯型。

寬禁帶的半導體一般趨向于要求高熔點和高溫工藝，這就增加了生產(chǎn)上的困難。

內(nèi)部效率 如前所述，半導體的能帶結構對輻射復合的效率有很大影響。因此需要進行詳細的測量來核實預期的能帶結構。

吸收率與折射率 半導體雖然是一種有效的輻射發(fā)生器，但當輻射到達半導體表面以前，有相當大百分比的輻射被吸收掉。同時，由于半導體的折射率也較大，所以只有一小部分的光能傳到空氣界面，其余的都損失于內(nèi)反射。如砷化鎵在其發(fā)射波長上的折射率為3.6，磷化鎵在700毫微米處的折射率為3.33，550 毫微米處為3.6。

遷移率 通過p-n結的電流應盡可能均勻，才能保證燈的亮度均勻。也就是指燈的表面應有足夠的導電率，而導電率又同載流子的遷移率有關。載流子遷移率高則有助于獲得均勻發(fā)射。